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InMarch5,2025,HangzhouGarenSemiconductorCo.,Ltd.(hereafteras‘Garen’)unveiledtheworld’sfirst8-inchβ-Ga2O3 singlecrystal.Usingthefullyindependentandinnovativec...
杭州镓仁半导体引领行业革新，推出高性能氧化镓专用晶体生长设备 2024年9月18日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”），作为超宽禁带半导体氧化镓材料领域的开拓者，发布公司首台氧化镓专用晶体生长设备。该设备不仅满足氧化镓晶体生长的各项需求，还集成了多项自主创新技术，是镓仁半导体实现氧化镓...
2024年8月，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展，成功研制超薄6英寸衬底，衬底厚度小于200微米。 薄片6英寸氧化镓单晶衬底 氧化镓（β-Ga2O3）具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大...
8月6日下午，阳光炽热，杭城荷香四溢，钱塘江畔迎来了一场科技与金融交织的盛会——杭州镓仁半导体有限公司Pre-A轮融资及战略合作签约庆典。此次庆典不仅是镓仁半导体发展历程中的一个重要里程碑，更充分展现了科技创新与金融资本深度融合的广阔前景。 自2022年9月成立以来，镓仁半导体以其在超宽...
2024年2月，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片，成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。 ...
近日，浙江省科学技术厅公布2023年第二批浙江省科技型中小企业拟定公示名单的通知。杭州镓仁半导体有限公司作为一家拥有核心自主知识产权、具备自主创新的科技型企业顺利通过了“浙江省科技型中小企业”认定。这是浙江省科学技术厅对公司坚持走自主研发、技术创新的有力肯定。 科技型中小企业是企业创新能力“认证”的重...
近日，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室使用铸造法成功制备了高质量4英寸氧化镓单晶，并完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破。 1英寸、2英寸、4英寸氧化镓单晶 本项目获得了...
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